MRAM: Технологія магнітної пам’яті з довільною вибіркою (хоч поки і теоретично) більш ніж у 1 тис. раз швидше нині існуючої енергонезалежної флеш-пам’яті і приблизно в 10 разів швидше DRAM (динамічної пам’яті з довільною вибіркою). Комп’ютер з MRAM зможе завантажуватися практично миттєво. MRAM працює аналогічно флеш-пам’яті, тобто зберігає інформацію навіть у випадку відключення комп’ютера, і зможе замінити і її. На відміну від розповсюдженої зараз комп’ютерної пам’яті, MRAM використовує для збереження даних не електричні, а магнітні заряди. Її планується використовувати в основному в мобільних пристроях — КПК, мобільних телефонах і ноутбуках, оскільки нова пам’ять відрізняється від своїх попередників більш низьким енергоспоживанням. Розробкою MRAM займаються компанії IBM, Infineon Technologies, Toshiba, Motorola і NEC.

Аналітики CNN включили цей винахід у десятку самих перспективних інновацій 2004 року. Їхня зоряна година ще не наступила, однак у новому році ці багатообіцяючі нові технології можуть, нарешті, почати свою експансію на ринок.