MRAM: Технология магнитной памяти с произвольной выборкой (хоть пока и теоретически) более чем в 1 тыс. раз быстрее ныне существующей энергонезависимой флэш-памяти и примерно в 10 раз быстрее DRAM (динамической памяти с произвольной выборкой). Компьютер с MRAM сможет загружаться практически мгновенно. MRAM работает аналогично флэш-памяти, то есть сохраняет информацию даже в случае отключения компьютера, и сможет заменить и ее. В отличие от распространенной сейчас компьютерной памяти, MRAM использует для хранения данных не электрические, а магнитные заряды. Ее планируется использовать в основном в мобильных устройствах — КПК, мобильных телефонах и ноутбуках, поскольку новая память отличается от своих предшественников более низким энергопотреблением. Разработкой MRAM занимаются компании IBM, Infineon Technologies, Toshiba, Motorola и NEC.

Аналитики CNN включили это изобретение в десятку самых перспективных инноваций 2004 года. Их звездный час еще не наступил, однако в новом году эти многообещающие новые технологии могут, наконец, начать свою экспансию на рынок.