Першовідкривач графена передбачив світу технологічнну кризу

2013-02-09

Андрей Гейм. Фото: Friedrun Reinhold / Reuters

Лауреат Нобелевской премии по физике и один из первооткрывателей графена Андрей Гейм предсказал наступление технологического кризиса, вызванного иссяканием потока новых фундаментальных открытий. Статья Гейма опубликована в издании Financial Times.

"Я наблюдаю глубокий кризис производства нового знания. Открытия происходят и сейчас, но скорость этого процесса уменьшилась. А без нового знания возможно возникновение только производных технологий, которые, сколь бы важны ни были, не способны поддерживать уровень экономического роста, наступившего с индустриальной революцией" - пишет Гейм.

По словам физика, "не существует такой вещи, как бесполезное фундаментальное знание", так как даже такие отвлеченные дисциплины как математика и квантовая физика принесли технологические плоды в виде компьютеров, лазеров, мобильных телефонов и интернета.

Гейм считает, что технологическим прогрессом последних 40 лет мир обязан холодной войне между СССР и США, которая заставляла инвестировать в фундаментальные исследования. В то же время отсутствие настолько же серьезных рисков теперь, по его словам, заставляет правительства сворачивать исследовательские программы.

В качестве единственного позитивного сценария развития ученый рассматривает обнаружение астероида, столкновение с которым было бы "достаточно опасным" для всей планеты. Это, по словам Гейма, сможет стимулировать получение новых знаний и разработку новых технологий.

Графе́н (англ. graphene) — двумерная аллотропная модификация углерода, образованная слоем атомов углерода толщиной в один атом, находящихся в sp²-гибридизации и соединённых посредством σ- и π-связей в гексагональную двумерную кристаллическую решётку. Его можно представить как одну плоскость графита, отделённую от объёмного кристалла. По оценкам, графен обладает большой механической жёсткостью и рекордно большой теплопроводностью (~1 ТПа[4] и ~5•103 Вт•м−1•К−1[5] соответственно). Высокая подвижность носителей заряда (максимальная подвижность электронов среди всех известных материалов) делает его перспективным материалом для использования в самых различных приложениях, в частности, как будущую основу наноэлектроники[6] и возможную замену кремния в интегральных микросхемах. Основной из существующих в настоящее время способов получения графена в условиях научных лабораторий[7][8] основан на механическом отщеплении или отшелушивании слоёв графита от высокоориентированного пиролитического графита (HOPG). Он позволяет получать наиболее качественные образцы с высокой подвижностью носителей. Этот метод не предполагает использования масштабного производства, поскольку это ручная процедура. Другой известный способ — метод термического разложения подложки карбида кремния[9][10] — гораздо ближе к промышленному производству. Поскольку графен впервые[7] был получен только в 2004 году, он ещё недостаточно хорошо изучен и привлекает к себе повышенный интерес. Из-за особенностей энергетического спектра носителей графен проявляет специфические[11], в отличие от других двумерных систем, электрофизические свойства. За «передовые опыты с двумерным материалом — графеном» А. К. Гейму и К. С. Новосёлову была присуждена Нобелевская премия по физике за 2010 год[12][13].

корисний матеріал? Натисніть: